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Modelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /

dc.contributor.authorGómez Roa, Antonio
dc.coverage.placeofpublicationEnsenada, Baja California.
dc.date.accessioned2022-11-23T01:18:40Z
dc.date.available2022-11-23T01:18:40Z
dc.date.created2008
dc.degree.deparmentUniversidad Autónoma de Baja California, Facultad de Ingeniería, Arquitectura y Diseño, Ensenada
dc.degree.grantorTesis de Maestría / master Thesis.
dc.degree.nameMaestría
dc.description.abstractEn este trabajo se ha estudiado al transistor PHEMPT de InP bajo la influencia de iluminación por medio de un dispositivo láser.
dc.format.extent107 p. : il.
dc.format.mimetypepdf
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12930/9789
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.57840/uabc-371
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Autónoma de Baja California.
dc.relation.urlhttps://drive.google.com/file/d/1kiVK37wXcIZJFZDjA15dzebfnH_HM1z2/view?usp=sharing
dc.rightsopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subjectTransistores PHEMT
dc.subjectIluminación Ingeniería
dc.subjectDispositivos láser
dc.subjectIngeniería
dc.subjectTesis
dc.subject.lccTK7871.96.M53 G65 2008
dc.titleModelado de transistores de microondas PHEMT iluminados por medio de un diodo láser /
dc.uabc.bibliographycNoteIncluye referencias bibliográficas
dc.uabc.bilbiotecaENSENADA
dc.uabc.identifier149364
dc.uabc.numInventarioENS056332
dc.uabc.typeMaterialTESIS
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