Síntesis y caracterización de capacitores tipo MOS
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Universidad Autónoma de Baja California
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El escalado de la nanoelectrónica exige materiales dieléctricos con alta permitividad y baja corriente de fuga, debido a que el SiO2 presenta limitaciones críticas asociadas al tunelamiento cuántico cuando su espesor se reduce a dimensiones nanométricas. En esta tesis se sintetizó y evaluó una arquitectura nanolaminada denominada AZTYA (Al2O3/ZTY/Al2O3), basada en el sistema ZrO2–TiO2–Y2O3 (ZTY), diseñada para combinar la alta permitividad del núcleo con el confinamiento eléctrico y la estabilidad interfacial proporcionados por capas de alúmina.
Palabras clave
Nanotecnología||Dieléctricos de alta k||ALD||Capacitores||MOS||TiO2 dopado
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