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Síntesis y caracterización de capacitores tipo MOS

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dc.contributor.authorLona Garibay, Eric Adiel
dc.contributor.codirectorMuñoz Muñoz, Franklin David
dc.contributor.directorFarias Sánchez, Mario Humberto
dc.coverage.placeofpublicationEnsenada, Baja California
dc.date.accessioned2026-11-13T05:58:04Z
dc.date.created2026
dc.degree.deparmentUniversidad Autónoma de Baja California, Facultad de Ingeniería, Arquitectura y Diseño, Ensenada
dc.degree.grantorTesis de Licenciatura / bachelor Thesis.
dc.degree.nameLicenciatura
dc.description.abstractEl escalado de la nanoelectrónica exige materiales dieléctricos con alta permitividad y baja corriente de fuga, debido a que el SiO2 presenta limitaciones críticas asociadas al tunelamiento cuántico cuando su espesor se reduce a dimensiones nanométricas. En esta tesis se sintetizó y evaluó una arquitectura nanolaminada denominada AZTYA (Al2O3/ZTY/Al2O3), basada en el sistema ZrO2–TiO2–Y2O3 (ZTY), diseñada para combinar la alta permitividad del núcleo con el confinamiento eléctrico y la estabilidad interfacial proporcionados por capas de alúmina.
dc.format.extent65 p.
dc.format.mimetypepdf
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12930/15154
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Autónoma de Baja California
dc.relation.urlhttps://drive.google.com/file/d/1M60u950B1vddjA7kxw-dXIULByUQ52xD/view?usp=drive_link
dc.rightsopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subjectNanotecnología||Dieléctricos de alta k||ALD||Capacitores||MOS||TiO2 dopado
dc.subject.lccTK7872.C65 L65 2026
dc.titleSíntesis y caracterización de capacitores tipo MOS
dc.uabc.bibliographycNoteIncluye referencias bibliograficas
dc.uabc.bilbiotecaENSENADA
dc.uabc.identifier288872
dc.uabc.numInventarioENS102538
dc.uabc.typeMaterialTESIS

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