Memristors based on mixed metal oxides : electrical response and exploration of synaptic functionality

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dc.contributor.authorMenchaca Rodriguez Jose Miguel.
dc.contributor.directorGarcía Guerrero, Enrique Efrén. Tiznado Vázquez, Hugo Jesús
dc.coverage.placeofpublicationEnsenada, Baja California.
dc.date.accessioned2026-05-24T22:52:34Z
dc.date.available2026-05-24T22:52:34Z
dc.date.created2025
dc.degree.deparmentUniversidad Autónoma de Baja California, Facultad de Ingeniería, Arquitectura y Diseño, Ensenada.
dc.degree.grantorTesis de Maestría / master Thesis.
dc.degree.nameMaestría
dc.description.abstractLos dispositivos de conmutación resistiva (RS), comúnmente conocidos como memristores, son candidatos clave para la memoria no volátil y la computación neuromórfica de próxima generación debido a su sencilla arquitectura metal-aislante-metal (MIM), su escalabilidad y su bajo consumo energético. Sin embargo, su reproducibilidad y resistencia siguen estando limitadas por la selección de materiales y el control interfacial. Esta tesis investiga el papel de la ingeniería de interfaces mediante el apilamiento multicapa en memristores de óxido metálico, centrándose en combinaciones de ZnO y Al₂O₃ con diversos materiales de electrodo (Au, Ru e ITO).
dc.format.extentRecurso en línea, 98 p.
dc.format.mimetypepdf
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12930/14177
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Autónoma de Baja California.
dc.relation.urlhttps://drive.google.com/file/d/1EcFLABt4ZYixTFb3cm_7JY1zBsw_u8im/view?usp=drive_link
dc.rightsopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subjectIngeniería||Tesis||y disertaciones académicas||Memristores||Circuitos electrónicos.
dc.subject.lccTK7867 M45 2025
dc.titleMemristors based on mixed metal oxides : electrical response and exploration of synaptic functionality
dc.uabc.bibliographycNoteIncluye referencias bibliográficas.
dc.uabc.bilbiotecaENSENADA
dc.uabc.identifier282288
dc.uabc.numInventarioENS101515
dc.uabc.typeMaterialTESIS
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