Memristors based on mixed metal oxides : electrical response and exploration of synaptic functionality

Abstract

Los dispositivos de conmutación resistiva (RS), comúnmente conocidos como memristores, son candidatos clave para la memoria no volátil y la computación neuromórfica de próxima generación debido a su sencilla arquitectura metal-aislante-metal (MIM), su escalabilidad y su bajo consumo energético. Sin embargo, su reproducibilidad y resistencia siguen estando limitadas por la selección de materiales y el control interfacial. Esta tesis investiga el papel de la ingeniería de interfaces mediante el apilamiento multicapa en memristores de óxido metálico, centrándose en combinaciones de ZnO y Al₂O₃ con diversos materiales de electrodo (Au, Ru e ITO).