Desarrollo de un modelo físico y numérico del transporte electro-térmico en celdas unitarias Peltier basadas en interfaces metal-semiconductor

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dc.contributor.authorBaez Nuñez, Daniel Omar
dc.contributor.codirectorHernández Fuentes, Iván Olaf
dc.contributor.directorVilla Angulo, Carlos
dc.coverage.placeofpublicationMexicali, Baja California.
dc.date.accessioned2026-04-19T21:40:16Z
dc.date.available2026-04-19T21:40:16Z
dc.date.created2026
dc.degree.deparmentUniversidad Autónoma de Baja California, Instituto de Ingeniería, Mexicali.
dc.degree.grantorTesis Doctorado / doctoral Thesis.
dc.degree.nameDoctorado en Ciencias
dc.description.abstractIntroducción: Los dispositivos termoeléctricos permiten la conversión directa entre energía eléctrica y energía térmica mediante el aprovechamiento de fenómenos termoeléctricos fundamentales, tales como los efectos Seebeck y Peltier. A diferencia de los sistemas de refrigeración convencionales, estos dispositivos no requieren partes móviles ni fluidos de trabajo, lo que les confiere ventajas importantes en términos de confiabilidad, compactación y control preciso de la temperatura. Debido a estas características, las celdas termoeléctricas han encontrado aplicaciones en sistemas de refrigeración de estado sólido, control térmico de dispositivos electrónicos y aprovechamiento de gradientes térmicos para la generación de energía eléctrica [1, 3, 4]. El funcionamiento de una celda termoeléctrica de efecto Peltier se basa en el transporte de portadores de carga a través de materiales semiconductores con diferentes propiedades eléctricas y térmicas. Cuando una corriente eléctrica atraviesa el dispositivo, los portadores intercambian energía con la red cristalina, dando lugar a la absorción o liberación de calor en las interfaces entre materiales. En este contexto, el desempeño del dispositivo depende de manera crítica de la eficiencia con la que se transportan las cargas eléctricas y de la forma en que se distribuyen los potenciales eléctricos y térmicos a lo largo de la estructura. En particular, las interfaces metal–semiconductor desempeñan un papel fundamental en el comportamiento global del dispositivo, ya que en ellas se establecen las condiciones de frontera para el transporte de carga. La naturaleza del contacto, ya sea óhmico o Schottky, determina la existencia de barreras de potencial que pueden modificar la densidad de corriente eléctrica y generar pérdidas energéticas adicionales. Estas pérdidas no solo afectan el comportamiento eléctrico del sistema, sino que también impactan directamente la transferencia de calor asociada al efecto Peltier, influyendo en la magnitud y estabilidad del gradiente de temperatura generado. 6 Bajo este enfoque, resulta necesario analizar de manera detallada el comportamiento eléctrico de las interfaces metal–semiconductor y su influencia sobre el desempeño termoeléctrico del dispositivo. La comprensión de estos fenómenos permite establecer una base sólida para el desarrollo de modelos físicos que describan de forma más precisa el transporte de carga y energía en celdas termoeléctricas, así como para la optimización de su diseño y operación.
dc.format.extentRecurso en línea, 99 p.
dc.format.mimetypepdf
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12930/13697
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Autónoma de Baja California.
dc.relation.urlhttps://drive.google.com/file/d/1xmDt96KNjUIax6vmnT7iVGgpA9Ect58j/view?usp=sharing
dc.rightsopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subjectSemiconductores||Tesis y disertaciones académicas||lemb||Efecto Peltier||Tesis y disertaciones académicas.
dc.subject.lccTK7871.85 B34 2026
dc.titleDesarrollo de un modelo físico y numérico del transporte electro-térmico en celdas unitarias Peltier basadas en interfaces metal-semiconductor
dc.uabc.bibliographycNoteIncluye referencias bibliográficas.
dc.uabc.bilbiotecaMEXICALI
dc.uabc.identifier282260
dc.uabc.numInventarioMXL126088
dc.uabc.typeMaterialTESIS
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