Síntesis y caracterización de películas delgadas de Al2O3, ZnO y NiOx para aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos

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dc.contributor.authorCastillo Sáenz, Jhonathan Rafael
dc.contributor.codirectorValdez Salas, Benjamín Bernechea Navarro, María
dc.contributor.directorRadnev Nedev, Nicola
dc.coverage.placeofpublicationMexicali, Baja California.
dc.date.accessioned2025-09-05T05:09:15Z
dc.date.available2025-09-05T05:09:15Z
dc.date.created2022
dc.degree.deparmentUniversidad Autónoma de Baja California, Instituto de Ingeniería
dc.degree.grantorTesis Doctorado / doctoral Thesis.
dc.degree.nameDoctorado en Ciencias
dc.description.abstractEl objetivo y principal aportación de este proyecto de investigación, fue el desarrollo dealgunos procesos de síntesis, deposición y caracterización de películas delgadas de Al2O3,ZnO y NiOx, y su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.Se logró obtener con éxito, películas delgadas de Al2O3 y ZnO a baja temperatura mediantela técnica de deposición por capas atómicas mejorada con plasma (PE-ALD), estas películaspresentaron excelentes propiedades ópticas, morfológicas, estructurales, composicionales yeléctricas, que permitieron su aplicación en la fabricación de dispositivos electrónicos. Laspelículas de Al2O3 y ZnO se utilizaron como dieléctrico y semiconductor tipo-nrespectivamente, en la fabricación de transistores de película delgada transparente,capacitores y resistores, estos dispositivos presentaron propiedades muy prometedoras paraaplicaciones en electrónica flexible.Se logró obtener y caracterizar con éxito películas delgadas de NiOx a partir de la oxidacióntérmica a 400 °C, 500 °C y 600 °C de películas delgadas de Ni depositadas por la técnica deevaporación con haz de electrones (e-beam). Se fabricaron fotodiodos basados en unaheteroestructura NiOx/Si. Los diodos con capa de NiOx obtenidos a 500 °C mostraron elmejor rendimiento en términos de corriente inversa y fotorespuesta. A 0 V estos diodos tienenresponsividades entre 0.85 y 0.41 A/W para longitudes de onda en el rango de 365 – 635 nm,mientras que bajo un sesgo inverso de -1.5 V la responsividad aumenta a valores entre 59 y32 A/W. Estas responsividades son mucho más altas que las reportadas previamente parafotodiodos basados en heteroestructura NiO/Si y se encuentran entre los valores más altospublicados para detectores de banda ancha.Por último, se desarrollaron dos procesos de síntesis y deposición de películas delgadas ynanopartículas de NiOx mediante el método Sol-Gel y la síntesis coloidal respectivamente,ambos procesos resultaron ser sencillos, de bajo costo y permitieron obtener NiOx conpropiedades ópticas, estructurales, morfológicas, composicionales, muy prometedoras paraaplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
dc.format.extent188 p.
dc.format.mimetypepdf
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12930/12551
dc.language.isospa
dc.publisherUniversidad Autónoma de Baja California.
dc.relation.urlhttps://drive.google.com/file/d/1RTRKmg4VCNDzDaU3SJRhzQrhZ4xSaupx/view?usp=sharing
dc.rightsopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subjectPelículas delgadas||lemb||Tesis y disertaciones académicas||Circuitos integrados||lemb||Tesis y disertaciones académicas||Fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.||Tesis y disertaciones académicas.
dc.subject.lccTK7871.15.F5 C38 2022
dc.titleSíntesis y caracterización de películas delgadas de Al2O3, ZnO y NiOx para aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos
dc.uabc.bibliographycNoteIncluye referencias bibliográficas
dc.uabc.bilbiotecaMEXICALI
dc.uabc.identifier251521
dc.uabc.numInventarioMXL123740
dc.uabc.typeMaterialTESIS
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