Optimización de las condiciones de depósito de películas de VOx preparadas por la técnica de erosión iónica

Abstract

En esta investigación se estudió la influencia de las condiciones de depósito de películas de óxido de vanadio no estequiométrico (VOx), preparadas sobre sustratos de Si [100], utilizando la técnica de erosión iónica d.c. asistida por magnetrón. Variando el flujo de oxígeno (0 mL/min y 3.6 mL/min) y la temperatura del tratamiento térmico ex situ (500 oC, 550 oC y 600 oC). Posteriormente se analizó la composición de las películas, su morfología y su resistividad. En cuanto a la composición, las muestras de 500 oC de temperatura de recocido y sin flujo de oxígeno presentaron diferentes fases de óxido de vanadio (V2O5, V2O3 y V3O7), al aumentar la temperatura a 600 oC se obtiene la fase pura V2O5 en muestras con y sin flujo de oxígeno. Las muestras de VOx sin oxígeno presentaron una morfología de granos más grandes (0. 99 μ𝑚 ± 0. 23 μ𝑚) que las crecidas con oxígeno (0. 63 μ𝑚 ± 0. 19 μ𝑚). En base a la resistividad calculada por medio del método de cuatro puntas y el efecto Hall, las películas en presencia de flujo de oxígeno durante el depósito muestran una resistividad promedio menor que las crecidas sin presencia de flujo de oxígeno.