Diseño y construcción de un sistema de depósito por capas atómicas para la obtención de películas delgadas semiconductoras y aislantes

Abstract

La industria de semiconductores exige constantemente nuevas alternativas para obtener materiales con propiedades superiores, fundamentales para el desarrollo de la electrónica moderna. En respuesta a esta demanda, el presente proyecto de investigación se centró en el diseño y construcción de un sistema de depósito por capas atómicas (ALD, por sus siglas en inglés “Atomic Layer Deposition”), que permite la deposición de películas semiconductoras y aislantes de espesor nanométrico a bajas temperaturas, mediante el uso de precursores en fase gaseosa. La técnica de ALD ofrece ventajas significativas, tales como: control preciso del espesor, capacidad para generar multicapas, uniformidad excepcional y recubrimiento conformal sobre estructuras tridimensionales con alta relación de aspecto.